张金锋 赖启基 王振洲 施毅 黄龙 任丙彦 张维连 冯翠菊 蔡莉莉 李养贤 王志军 吴凤美

表面缺陷 超导转变宽度 硅片 空间也荷区 慢中子俘获反应 质杂 高Tc超导体 注量 退火 杂质 机理 电场 中子嬗变掺杂（NTD） P型InP 中子嬗变掺杂NTD) 施主浓度 临界温度 N型Gap 中子辐照 临界电流密度 重离子辐照 电阻率 正电子湮没寿命 慢中子辐照 抑制 电子辐照 磁通钉扎 形成系数 点缺陷 施主