魏同立 吴金 冯耀兰 童勤义 肖志雄 刘卫东 黄流兴 王燕 黄勤

锗硅应变层异质结构 能带工程 禁带变窄效应 超导 温度 阈值 测定方法 异质结双极晶体管 硅 晶体管 可表示 低温 载流子冻析效应 MOS场效应晶体管 集电区 低温电流增益 高注入 冻析低温阈值特性 有效杂质分布 硅晶体管 禁带宽度 发射区 微电子学 衬底灵敏度

东南大学微电子中心