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研究人员
王华
侯识华
秦冬成
马远新
郑毓峰
宋世庚
李金华
李坤
周东祥
潘小龙
于军
唐超群
章天金
陈王丽华
汤国英
陈汉松
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相关术语
制备
C-V特性
铁电薄膜
开裂
ITO薄膜
晶相结构
Bi4Ti3O12
制备工艺
PLZT
电学性质
铁电电容电极
铅过量
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