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李跃进图谱-材料领域：

相关人员

贾护军 柴常春 杨银堂 朱作云

研究领域

热氧化 二氧化硅 刻蚀气体 β－SiC薄膜 外延生长 SiC薄膜 温度 结晶度 等离子体刻蚀（PE） 淀积温度 多晶碳化硅

所属机构

西安电子科技大学微电子研究所 西安电子科技大学微电子所

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