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李晋闽图谱-材料领域：

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研究领域

RF-MBE 临界载荷 方形3C-SiC岛 CL 外延生长 GaN RBS沟道 Si（001）衬底 SiC器件 AlGaNGaN 无机非金属材料 二维电子气 SiC体单晶生长 HFET LPCVD

所属机构

北京10 中国科学院半导体所材料中心 中国科学院半导体研究所材料科学中心 中国科学院半导体研究所 中科院半导体研究所

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