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余庆选图谱-材料领域：

相关人员

牛晓滨 廖源 方容川 常超

研究领域

α-Si3N4 SiCN薄膜 结构 高频溅射 HFCVD 氮化碳薄膜 生长

所属机构

中国科学技术大学物理系 中国科学技术大学结构分析开放研究实验室

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