邹世昌 章定康 黄巍 黄敞 童勤义 李金华 黄宗林 王则如 孙有民 陈军宁 林长贵 郑志宏 余山 林成鲁 武利翻

测试结果 氧化 SOI材料 离子轰击 四探针法 不均匀性 隐埋氧化层 干腐蚀 各向异性腐蚀 杂质浓度 杂质分布 光刻 研制成功 冶金研究 GaAs 计算方法 功率密度 硅片直接键合 偏差图 扩散系数 阈值电压 MOS集成电路 反应离子腐蚀 中国科学院 CCD 薄层外延 退火温度 双注入 退火时间 磁敏元件