陈志兵 邹务金 罗来华 刘新宇 赵文魁 刘文安 黄敞 周志仁 张文俊 胡国元

PROM STTL工艺 版图设计 接触孔 顶部引出 ESD 栅控二极管 SOI横向双极晶体管 最小间距 集成电路设计 双多晶硅栅 数值模拟 SOIMOSFET 设计规则检查 热载流子效应 NiCr熔丝 侧向引出 基极去偏效应 用户要求 SOI 全耗尽

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