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选择性 超薄SiO2介质 等离子刻蚀机 二氧化硅 侧墙 横向电场 LDD 轻掺杂漏 容错时钟接收器 离子注入 击穿强度 沟道电流 钛硅化物 栅控 氧化 长链聚合物 溅射 阈值电压 击穿电压 活性基 穿通电压 衬底电流 电路设计 重掺杂 注入能量 化学反应式 有源电阻 硅化钛 退火 自对准

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